- 半导体物理 辅导
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相关例题:
题目:解释半导体中的载流子浓度和运动
1. 载流子浓度的变化;
2. 载流子如何运动。
答案:
1. 在室温下,硅中的本征激发载流子浓度很低。然而,当样品被加热到室温时,硅中的电子和空穴会从价带(VB)跃迁到导带(CB)。这种过程称为热激发,因为电子和空穴的产生是由于加热产生的热能。由于电子和空穴的产生,它们的浓度会增加。
在施加正向偏压的情况下,电子将从导带跃迁到价带,这会导致更多的电子进入导带。同时,由于电子的迁移率高于空穴,因此施加正向偏压会使得更多的电子从价带迁移到导带,这也会导致载流子浓度的增加。
2. 载流子在半导体中的运动主要受到电场和扩散的影响。在正向偏压下,电子从导带向价带迁移,这会导致一个电场。这个电场会加速电子的运动,并使得电子更快地从价带迁移到导带。同时,由于电子和空穴的浓度增加,扩散也会增加。扩散是指载流子在半导体材料中随时间随机移动的过程。因此,施加正向偏压会加速载流子的运动并增加扩散。
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