- 物理强度静电场
物理强度静电场包括以下几个主要方面：
1. 电场强度（E）：描述静电场电场强度和电势差的物理量，表示电场对放入其中的电荷的吸引力和使电荷发生偏移做功的本领。
2. 电势（φ）：描述静电场电势和电势能变化的物理量，表示单位正电荷在电场中某点具有的电势能。
3. 电势差（U）：描述静电场中两点间电势差和电势能差变化的物理量，表示将单位正电荷从一点移到另一点电场力所做的功。
4. 静电场力（F）：描述电荷在静电场中受到的力，即电场对放入其中的电荷的作用力。
5. 感应电荷（Q）：当导体在静电场中放置时，由于静电感应，导体内的电荷会在静电场作用下发生重新分布，这种现象称为感应现象。感应电荷量即表示导体内部所有电荷的数量。
6. 导体和绝缘体：根据物质导电性能的不同，可以将物质分为导体、半导体和绝缘体。静电场中，导体和绝缘体是常见的概念，导体容易导电，而绝缘体不容易导电。
以上是物理强度静电场的一些主要组成部分和概念，它们共同构成了静电场的基本理论框架。
相关例题：
题目：一个半径为R的绝缘球壳上均匀地带有电荷量为+Q的电荷，现在从球壳最上端的点A处再引入一个电荷量为+q的电荷，求球壳上的电场强度。
解答：
首先，我们需要明确球壳上的电荷分布情况。由于球壳是绝缘体，电荷不会发生转移，因此球壳上的电荷分布不会因为引入电荷而改变。
接下来，我们需要根据高斯定理求出球壳上的电场强度。由于球壳是一个半径为R的球形导体，因此它是一个等位体，其电位为零。根据高斯定理，我们可以求出球壳上任意一点处的电场强度。
假设在球壳上取一个以球壳为边界的高斯面，根据高斯定理，我们可以得到电场强度E与高斯面内电荷的关系式：
∮E·dS = q/ε_0
其中，E为电场强度，dS为高斯面上的微小面积元，q为高斯面内的电荷量，ε_0为真空电容率。
由于引入电荷后，球壳上总电荷量为+Q+q，因此高斯面内的电荷量为+q。将上述关系式代入已知条件中，可得：
∮E·dS = (Q+q)/ε_0
由于球壳是一个半径为R的球形导体，其表面上的电场强度处处相等，因此可以将高斯面取在球壳表面上的任意一点处。根据高斯定理，可得该点处的电场强度为：
E = ∮E·dS / S = (Q+q)/ε_0R^2
其中，S为高斯面所包围的面积。由于球壳是一个半径为R的球形导体，因此S = 4πR^2。将该式代入上式中，可得该点处的电场强度为：
E = (Q+q)/ε_0R^2 = kq/(ε_0R^2)
其中k为库仑常数。因此，该点处的电场强度为+kq/(ε_0R^2)。
综上所述，该绝缘球壳上的电场强度为+kq/(ε_0R^2)。需要注意的是，由于引入电荷后球壳上的电荷分布没有发生变化，因此该电场强度与引入电荷无关。
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