半导体物理知识点总结如下：
1. 半导体材料：硅（Si）和锗（Ge）是最常用的材料，此外，化合物半导体如砷化镓（GaAs）在光电子学中也有重要应用。
2. 本征半导体：纯净的、未掺杂的半导体。其电子浓度为N0，空穴浓度略小于电子浓度（N0 ≈ P0）。
3. 掺杂与PN结：通过掺入某些元素，可以改变半导体的电学性质。常见的掺杂元素有磷（P）和锑（As）。掺杂后半导体中产生出自由电子，形成N型半导体，如P+N型Si半导体中P元素起空穴掺杂作用，N元素起电子掺杂作用。或掺杂后半导体中产生出自由空穴，形成P型半导体，如N+P型Si半导体中N元素起电子掺杂作用，P元素起空穴掺杂作用。半导体器件中常用的掺杂方式有：少子注入、多子注入、少子检出、多子检出等。PN结的形成是由于半导体两侧掺杂元素类型不同，形成空间电荷区，由P区到N区是电子浓度不断减小的空间电荷区，而由N区到P区是空穴浓度不断减小的空间电荷区。这些空间电荷区称为PN结。
相关例题：
1. 半导体材料有_____和_____。
2. 半导体二极管具有_____的特点。
3. 在PN结的形成过程中，电流从N区流向P区时称为_____。
4. 在PN结的扩散过程中，多数载流子扩散是由浓度高的区域向浓度低的区域运动，以补偿浓度差，这种运动称为_____。
答案：
1. 硅（Si）；锗（Ge）。
2. 单向导电性。
3. 扩散电流。
4. 扩散运动。
以上题目涉及半导体物理的基础知识，希望能够对你有帮助。另外，建议你可以查阅相关书籍或视频，以获得更全面和准确的信息。
半导体物理知识点总结：
1. 半导体中的自由电荷：半导体中有两种电荷，分别是带负电的自由电子和带正电的空穴。
2. 半导体中的两种载流子运动：在电场作用下，自由电子作定向运动，空穴也作漂移运动。
3. 半导体中的复合与平衡：在平衡状态下，自由电子和空穴浓度相等。在外电场作用下，自由电子和空穴将不断地从浓度高的区域向浓度低的区域进行扩散，与此同时，两种载流子会从浓度低的区域向浓度高的区域进行漂移，以补充电子和空穴的消失。
相关例题：
1. 半导体中存在自由电子和空穴，其中自由电子带（负）电，空穴带（正）电。
2. 在半导体中加入（ ）后，自由电子和空穴的数目相等，形成等量的（ ）电流。
3. 半导体中的载流子运动有扩散和漂移运动两种，扩散运动是由于（ ）的差异引起的，漂移运动是由于（ ）引起的。
以上题目主要考察了半导体物理的基础知识，需要考生对这些概念有清晰的理解。另外，由于半导体在电子工程中的应用非常广泛，因此考生还需要了解一些相关的应用知识。
半导体物理知识点总结
一、半导体基础知识
半导体是一种特殊的物质形态，它既具有固态物质的性质，又具有液态物质的部分性质，介于导体和绝缘体之间。半导体材料很多，有单晶硅、锗、化合物半导体如砷化镓等，掺入不同元素后，可组成不同导电性质的半导体材料。
二、PN结的形成
半导体材料硅或锗晶体中掺入微量杂质元素后，其导电能力大大增强，这种现象称为本征激发。当向半导体掺入微量杂质时，杂质原子在晶体中填补了晶格上导电电子的空位，产生出更多的电子-空穴对。在扩散过程中，电子主要依靠热运动从N区越过空间进入P区，空穴则相反，主要从P区越过空间进入N区。这样就在PN结空间范围内形成了空间电荷区。
三、半导体二极管
半导体二极管是一种具有单向导电性的特殊器件，它由一个PN结组成。根据PN结的深度不同，二极管可分为普通二极管、整流二极管、检波二极管等。
四、半导体三极管
半导体三极管又称双极型晶体管，它是一种电流控制元件，其工作原理是基于电子和空穴的双注入和双漂移过程。三极管有三个极性，发射极（e）、基极（b）和集电极（c）。
相关例题与常见问题
一、选择题
1. 半导体材料是（）。
A. 晶体硅 B. 玻璃 C. 陶瓷 D. 塑料
2. PN结的形成是因为（）。
A. 扩散运动形成的 B. 热运动形成的 C. 漂移运动形成的 D. 扩散运动和漂移运动的共同作用
二、填空题
1. 半导体是一种特殊的物质形态，它既具有_____的性质，又具有_____的性质。
2. 三极管的三个极分别是____、____和____。
3. 二极管的主要作用是____。
常见问题
半导体材料在生活中有哪些应用？
PN结在哪些电子设备中起到关键作用？
如何理解半导体材料的导电性？
三极管在电子设备中有哪些应用？请举例说明。
以上是半导体物理知识点总结和相关例题常见问题，希望能帮助你更好地理解和掌握半导体知识。