半导体物理公式包括：
1. 欧姆定律：I = V / R，其中I是电流，V是电压，R是电阻。
2. 费米-狄拉克分布：N(E) = (exp(beta(E - Ef)) + 1) / 2，其中N(E)是费米能级附近E的电子浓度，beta是玻尔兹曼常数，E是电子能量，Ef是费米能级。
3. 载流子统计：对于半导体中的电子，可以应用玻尔兹曼统计得到分布函数f(E) = (exp(beta(E - Ec)) + 1) / 2，其中Ec是室温下的电子能级。对于半导体中的空穴，可以类似得到分布函数g(E) = (exp(-beta(E - Ev)) + 1) / 2，其中Ev是室温下的空穴能级。
相关例题举例：
例题：已知某半导体材料的室温下的费米能级为3.5eV，室温下的电子有效质量为0.067m0，求室温下半导体中电子浓度。
解答：根据费米-狄拉克分布，室温下的电子浓度为N = N0 exp(-beta(Ef - Ec))，其中N0是真空中的电子浓度，此处可以近似为常数1.6x10^(-19)个/cm3。根据载流子统计，有Eg = 1.5eV，此处可以近似为室温下的带隙。此处可以近似认为室温下的费米能级等于室温下的带隙加上一个常数（例如0.5eV），即Ef = 3.5eV + 0.5eV = 4eV。代入上述公式可得N = 1.6x10^(-19) exp(-beta(4eV - Ec))。
注意：以上公式和例题仅供参考，具体内容可能会根据不同的半导体材料和温度有所不同。在具体应用时，需要结合实际情况进行计算。
半导体物理公式：
1. 费米-狄拉克分布：N(E) = (E_F−∣∣E−E_F∣∣)exp(∣∣E−E_F∣∣)∑(E_F−∣∣E−E_F∣∣)
2. 德布罗意公式：∣∣p∣∣=h/√(2mεc^2)
例题：
题目：一电子在电势差为U的电场中沿一圆周路径运动一周后，请计算该电子的动能的变化量。
分析：电子在电场中运动，其动能会发生变化，因此需要用到德布罗意公式和费米-狄拉克分布。
解：设电子的质量为m，速度为v，圆周的半径为r，电势差为U。
根据德布罗意公式，电子的动量p=h/√(2mεc^2)，其中εc是真空中的光速。
电子沿圆周运动一周，其动能的变化量为ΔE=Δp⋅v=Δ(mv^2)/2=Δmv^2/2=U^2/εc^2。
因此，电子动能的变化量为ΔE=U^2/εc^2。
总结：本题主要考查了德布罗意公式和费米-狄拉克分布的应用，需要理解公式的含义并能够灵活运用。
半导体物理公式主要涉及到载流子（电子和空穴）的浓度、迁移率、费米能级、饱和电流密度等。以下是一些主要公式及其讲解和相关例题：
1. 费米-狄拉克分布：描述了半导体中电子或空穴的浓度，其公式为N=C(E-Ef)/kBTE。其中N是载流子的浓度，E是能量，Ef是Fermi能级（通常由温度和化学计量数决定），kB是玻尔兹曼常数，T是温度。
例题：已知半导体中电子浓度Ne=1.5×10^{20}cm^{-3}，kT=26meV，Ef=0，求半导体中空穴浓度Np。
答案：根据费米-狄拉克分布，Np=N/(1+exp(Ef-KEp)/kT))≈N/2，其中KEp为电子的动能。
2. 霍尔效应：描述了半导体中电流通过时，其电荷分布和电场的变化。其公式为J=μ(eN/d)V/(d+L)，其中J是电流密度，μ是载流子迁移率，N是浓度，V是空间变化速度，d和L是样品厚度和长度。
例题：已知某半导体样品厚度d=5μm，长度L=1cm，室温下迁移率为5×10^{(-2)cm^{2}/Vs，}载流子浓度ne=1.5×10^{20}cm^{-3}，求样品中的电流密度。
答案：带入公式即可得到电流密度J≈3×10^(-6)A/cm^2。
以上公式在半导体物理中非常重要，但需要注意的是，半导体物理是一个非常复杂的领域，需要深入学习和理解。此外，常见问题如半导体的类型（如硅、锗、砷化镓等）、掺杂类型（如施主和受主类型）、PN结的形成和特性等也是学习半导体物理的重要内容。
以上内容仅供参考，建议咨询专业人士或者查看专业的半导体物理书籍。