电磁感应里，存在电容单杆问题，主要类型能分成以下这些类别：一类属于第一类问题范畴，在高中阶段，电路里头的电阻常常能够被忽略不计。这类问题有个典型示例，在一个光滑的水平平面之上，存在一个金属棒ab，它横跨地处两根光滑的平行金属导轨PP′与QQ′的之间区域，导轨二者之间的间隔设定为L，金属棒具备相应质量m钓鱼网，电容率是ρ，电容量为C，磁场所朝方向与导轨平面呈垂直状态。
有关这类问题的关键特征涵盖这些：其一，发电边是导体棒ab；其二，电容器处于被充电状态；其三，导体棒ab顺着导轨滑动，进而形成一个闭合电路； 其四，回路里的电流维持恒定；其五，在导体棒ab沿导轨滑动期间，它的速度以及回路的电流均保持恒定；其六，导体棒ab所受的安培力恒定；其七，导体棒ab克服安培力所做的功等同于电容器储存的电能。
用来证明这些结论，我们能够采用微元的思想方法去计算回路里的电流；在一段极为短促的时间中，借助导轨的宽度Δx 穿过电路的电荷量Δq得以实现，那么在这段极短时间内通过的电流便是：I = Δq / Δt；此电流是因电荷于导轨内部定向移动而形成的高中物理电容面板，所以能够依据欧姆定律计算出回路中的电压U = IR；然后，能够凭借电容器的电压公式U_c = Q / C求出电容器上的电压。最终，能够把回路之中的总电压U减掉电容器上面的电压U_c呀，进而得出导体棒ab两端的电压U_ab等于U减去U_c这样的结果，即U_ab = U - U_c。
在这个进程当中，导体棒ab所受的安培力能够被表述成：FA等于B乘以S乘以V，其所 中B是磁场强度，S是导体棒ab的面积，V是导体棒ab的速度，因导体棒ab顺着导轨滑动的进程是个动态进程，所以它的质量以及惯性系数都会伴随速度的改变而改变，在这种情形下，能够运用牛顿第二定律去描绘导体棒ab的运动状态，也就是：FA等于m乘以a，借由这个方程，能够获取导体棒ab的速度表达式：v等于p乘以F乘以t除以m。
在这个问题里头，存在着一个重要的结论高中物理电容面板，那就是：导体棒ab克服安培力所做的功等同于电容器储存的电能。而这是能够借由计算导体棒ab的动能变化量和电容器储存的能量变化量去达成的。首要的，可以计算导体棒ab的动能变化量，其为：ΔK=1/2*m*v的平方-0。接着的，可以计算电容器储存的能量变化量，即：ΔW=Q-Q_c=UC-CU_c。经由比较这两个变化量，能够发觉它们是相等的，这便是我们所讲的结论了。
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