图中RS即为串联内阻：包括电瓶的体内阻、表面内阻、电极内阻、电极与硅表接触内阻等Rsh为旁漏内阻即为并联内阻，为单晶硅边沿不清洁及内部缺陷导致
RS很小，Rsh很大理想情况下可以忽视，Ish很小
串并联内阻对填充因子（FF）影响很大，串联内阻Rs越高，填充电压骤降越多，填充因子降低的越多，并联内阻降低的越多疗效相同。
对于旁漏内阻的特别好的解释：
【1】并联内阻是为了解释分流现象而引入的一个概念，实际上是不存在这样一个内阻的。
举个简单的事例，一10A的恒流源接一10欧的阻值，那里面有10A的电压，假如再给它并联一个10欧的阻值，那它前面的电压只有5A了，还有5A分给了另外一个，这就是并联内阻造成的分流效应。一定的光强下光生电压是一定的，假如电瓶片边沿蚀刻没刻断或则体内有区域性高导杂质，就会导致分流，致使穿过P-N结势垒的电压降低，相当于和结区并联了一个内阻，并联内阻越小分流效应越显著，所以我们希望它越大越好.
【2】并联内阻是一个用于描述电瓶特点的基本的概念。
如楼上所述，并联内阻不是一个实体内阻。并且，并联内阻又与实体内阻有关。
理论上，对于单p-n太阳电瓶，可以构建电路模型，常规的教材中均有这样的模型，可以给出一个串联内阻、并联内阻等等综合在一起的公式描述电压随电流的变化。
并且对于实际的电瓶和组件电阻并联功率怎么计算，影响的诱因特别多，例如：
1、硅片边沿的漏电通道（灰尘可以导致）；
2、薄膜电瓶中因为薄膜沉积质量差，存在针眼造成的漏电通道；
3、薄膜组件中串联集成时造成的漏电通道。
4、.........
为此，实际的检测系统中，是将光I－V特点曲线的接近V＝0的部份，或进行物理拟合后，或直接估算（dI/dV）的倒数，实际上就是光I-V曲线的接近V＝0的位置的微分的倒数。
这样的处理，对于FF较差的电瓶和组件，才能定性/半定量地将串联内阻用于工艺优化和剖析。而对于FF较好的电瓶和组件电阻并联功率怎么计算，因为测试设备所测联通号的起伏、以及所用物理拟合方式的局限，同一片样品，多次检测的重复性都很差的。
为此，好多检测系统，就不给出所谓并联内阻的数据。
Rs、Rsh与其他参数究竟有哪些关系？这个问题搞的我很晕
例如：RsRsh与填充因子FF哪些关系或则说FF随RsRsh如何变化？
RsRsh与漏电电压Isc和Voc有哪些关系？如何变化的
串联内阻=晶圆碳化物内阻+扩散小方块内阻+栅线内阻+焙烧后的接触内阻
碳化物内阻由晶圆决定。扩散小方块内阻可以调节，但又伴随着结深的变化。栅线内阻主要靠丝网彩印参数决定，重要的是栅线的清晰度和高宽比（越大越好）。其实，若单纯的降低串联内阻，栅线可以很宽，但高度较低，而且会减小遮光面积。接触内阻主要看焙烧。
串联内阻Rs影响漏电电压，Rs增会议使漏电电压增加，而对开路电流没有影响。
并联内阻反映的是电瓶的短路水平。漏电压理论上可以归结到并联内阻上。
并联内阻影响太阳电瓶开路电流，Rsh降低会使开路电流增加，但对漏电电压基本没有影响。
太阳能电板的填充因子FF可定义为最大输出功率Pm与IscVoc之比，也就是最大功率圆形面积对IscVoc圆形面积比列。对于太阳能电板说，填充因子是一个重要的参数，他可以反映太阳能电板的质量。太阳能电板的串联内阻越小，并联内阻越大，填充系数就越大，反映到太阳能电板的电压—电压特点曲线上，曲线就越接近正圆形，此时太阳能电板的转换效率就越高。
